Janus VSiP₂X 单层中的谷电子学与光电子特性Physica E 183 (2026) 116599卤化 Janus VSiP₂X 单层中的谷电子学与光电子特性Exploring Valleytronics and Photonic Characteristics in Halogenated VSiP₂X (X Cl, Br) Monolayers导读 导读基于第一性原理计算系统研究了 Janus VSiP₂X (X Cl, Br) 单层——MA₂Z₄ 家族的新成员。两种体系均为直接带隙半导体展现可观的谷自旋劈裂最高 67.9 meV、谷对比 Berry 曲率、强光学吸收~10⁶ cm⁻¹和有限压电响应。带隙可通过双轴应变线性调控为多功能谷电子学和光电器件提供了理论指导。一、引言Janus MA₂Z₄ 家族的谷电子学1.1 MA₂Z₄ 家族超越 TMDs 的二维半导体MA₂Z₄ 家族以 MoSi₂N₄ 为代表已通过 CVD 成功合成展现出优异的环境稳定性、高载流子迁移率和广泛可调的电子结构。VSi₂N₄ 被预测实现谷-半半导体态VSi₂P₄ 展现出强关联和应变诱导的丰富拓扑相。Janus 二维材料通过面外不对称性提供了结构驱动的对称性破缺为调控电子和谷性质提供了通用平台。1.2 Janus VSiP₂X (X Cl, Br) 的设计本文通过卤化策略——用 Cl 或 Br 选择性取代 VSi₂P₄ 的外层 P 原子——构建 Janus VSiP₂Cl 和 VSiP₂Br 单层。该化学修饰不仅产生类似 MoSSe 的 Janus 构型还向 V-3d 轨道贡献一个额外电子形成 3d² 电子构型。Janus 诱导的面外不对称性导致内建垂直偶极子VSiP₂Cl: 0.16 Debye, VSiP₂Br: 0.31 Debye增强有效 SOC 并调控谷劈裂。二、晶体结构与稳定性2.1 Janus 结构特征VSiP₂X 单层呈非对称面外 X-V-P-Si-P 原子堆叠属于非中心对称 P3m1 空间群C₃ᵥ 点群对称性。晶格常数VSiP₂Cl 为 a 3.379 ÅVSiP₂Br 为 a 3.431 Å。层厚分别为 6.210 Å 和 6.306 Å。V-P 键长约 2.40 ÅV-X 键长分别为 2.473 Å (Cl) 和 2.587 Å (Br)。表1: VSiP₂X 单层的关键物理参数VSiP₂Cl: 晶格常数 a 3.379 Å, 层厚 h 6.210 Å, C₁₁ 146.6 N/m, C₁₂ 32.0 N/m。HSE 带隙: Eg 0.93 eV (无 SOC), Eg 0.90 eV (含 SOC)。价带劈裂 ΔV 48.7 meV, 导带劈裂 ΔC 4.4 meV。VSiP₂Br: 晶格常数 a 3.431 Å, 层厚 h 6.306 Å, C₁₁ 144.3 N/m, C₁₂ 32.0 N/m。HSE 带隙: Eg 0.86 eV (无 SOC), Eg 0.82 eV (含 SOC)。价带劈裂 ΔV 67.9 meV, 导带劈裂 ΔC 8.9 meV。Berry 曲率 Ω(K): VSiP₂Cl 121.5 Bohr², VSiP₂Br 127.6 Bohr²。图1: Janus VSiP₂X (X Cl, Br) 单层的晶体结构。(a) 侧视图展示面外不对称原子排列。(b) 顶视图V、Si、P、X 原子分别以红、蓝、灰、绿表示。2.2 力学、动力学与热力学稳定性弹性常数满足 Born-Huang 判据C₁₁ 0, C₁₁ |C₁₂|证实力学稳定性。声子色散无虚频模式证实动力学稳定性。AIMD 模拟500 K, 12 ps显示总能量在平衡值附近小幅振荡结构保持完整证实热力学稳定性。图2: VSiP₂Cl (a) 和 VSiP₂Br (b) 的声子色散曲线。500 K AIMD 模拟中 VSiP₂Cl (c) 和 VSiP₂Br (d) 的总能量演化。三、电子结构与谷物理3.1 能带结构与谷劈裂两种体系均为直接带隙半导体带边位于 K 和 K 谷。Janus 诱导的反演对称性破缺结合 SOC 导致价带顶出现可观的谷自旋劈裂VSS。VSiP₂Br 的价带劈裂67.9 meV大于 VSiP₂Cl48.7 meV归因于 Br 的更强 SOC。导带劈裂较小4.4-8.9 meV反映了导带态的不同轨道特征。谷自旋劈裂 ΔV 的定义K 和 K 谷价带顶能量差Berry 曲率的 Kubo 公式图3: (a,b) VSiP₂Cl 和 VSiP₂Br 的 HSE 能带结构含 SOC。(c,d) 轨道投影能带。3.2 Berry 曲率与谷霍尔效应K 和 K 谷附近出现显著的 Berry 曲率且符号相反满足时间反演对称性要求。Berry 曲率在 K 谷的值VSiP₂Cl 为 121.5 Bohr²VSiP₂Br 为 127.6 Bohr²与典型谷材料相当。谷对比的 Berry 曲率分布将导致谷霍尔效应——在面内电场驱动下不同谷的载流子获得相反的反常速度。图4: (a,b) VSiP₂Cl 和 VSiP₂Br 沿高对称路径的 Berry 曲率。图5: 谷霍尔响应。(a) 谷对比的 Berry 曲率。(b) 谷霍尔电导率。(c) 谷极化率。四、光学吸收与应变调控4.1 强光学吸收两种体系均展现出强光学吸收吸收系数达到 10⁶ cm⁻¹ 量级覆盖可见光至紫外范围。Janus 不对称性导致面内和面外光学响应的显著差异为偏振分辨的光学探测提供了可能。第一激子峰位于可见光区表明 VSiP₂X 在光电器件中具有应用潜力。图6: VSiP₂Cl 和 VSiP₂Br 的光学吸收谱。(a) 面内分量。(b) 面外分量。(c) 吸收系数。4.2 双轴应变线性调控带隙带隙随双轴应变呈近似线性变化压缩应变增大带隙拉伸应变减小带隙。应变调控范围覆盖 ±6%带隙变化约 0.3-0.5 eV为谷电子器件的带隙工程提供了灵活手段。应变下谷劈裂和 Berry 曲率也发生系统性变化可实现谷自由度的力学调控。带隙随双轴应变的线性-二次响应图7: (a) 带隙随双轴应变的变化。(b) 应变下的价带和导带边位移。(c) 谷劈裂的应变依赖性。五、压电响应与载流子迁移率5.1 Janus 不对称性驱动的压电性面外反演对称性破缺赋予 VSiP₂X 单层有限压电响应。计算得到非零压电系数 e₁₁ 和 d₁₁。VSiP₂Br 的压电系数大于 VSiP₂Cl归因于 Br 的更大原子尺寸和更强面外不对称性。压电性与谷电子学的结合为多功能纳米器件同时实现谷信号的电学和力学调控提供了可能。压电系数应力-极化耦合张量二维载流子迁移率形变势理论图8: (a) 压电系数 e₁₁ 和 d₁₁。(b) 载流子迁移率。(c) 压电响应的方向依赖性。六、总结与展望6.1 核心贡献系统研究了 Janus VSiP₂X (X Cl, Br) 单层的结构稳定性、电子性质、Berry 曲率和光学吸收。两种体系均为直接带隙半导体展现可观的谷自旋劈裂VSiP₂Cl: 48.7 meV, VSiP₂Br: 67.9 meV和谷对比 Berry 曲率。强光学吸收~10⁶ cm⁻¹、线性应变可调带隙和有限压电响应使 VSiP₂X 成为多功能谷电子学平台。6.2 实验展望本研究将 MA₂Z₄ 家族拓展至卤素修饰的 Janus 谷材料为 VSiP₂X 的实验合成和表征提供了理论预测。谷依赖的 Berry 曲率和压电响应原则上可通过圆偏振光致发光、谷霍尔效应测量和压电力显微镜进行实验探测。应变工程和电场调控可进一步优化谷电子性能为谷电子学器件的实际应用奠定基础。Y. Mu, F. Miao, Y. Yang | Physica E 183, 116599 (2026) | Janus 单层 · 谷电子学 · 光电子特性 · 压电性