文章目录前言1、RAM分类2、SDRAM工作流程2.1 工作流程2.2 预充电2.3 自刷新3、SDRAM指令集3.1 模式寄存器控制信号及时序3.2 写指令控制信号及时序3.3 读指令控制信号及时序3.4 读事例解读3.5 写事例解读二、DDR3信号总结前言DRAM中SDRAM以及DDR3学习1、RAM分类SRAM只要持续通电数据就永久保存不需要刷新靠电路稳态存 0/1断电数据丢失。DRAM用电容充放电代表 0/1电容会漏电必须周期性刷新不刷新数据会丢失断电同样丢失数据。2、SDRAM工作流程2.1 工作流程上电初始化静默200usbank预充电8个自刷新模式寄存器设置正常工作行激活列激活突发读/写预充电2.2 预充电在读写操作后电容电荷会缓慢减少因此每次读写操作后执行自动充电称为预充电。2.3 自刷新那如果长时间不写/读呢电容电荷也会缓慢减少所以会有一个定时刷新的操作称为自刷新。3、SDRAM指令集各种指令都是通过如下引脚配合完成3.1 模式寄存器控制信号及时序3.2 写指令控制信号及时序3.3 读指令控制信号及时序3.4 读事例解读3.5 写事例解读二、DDR3信号本次使用的是镁光MT41J256M16HA-093型号MT41J系列容量为256×16(数据宽度) 4096Mb速度等级为093。由于速度等级为093故核心时钟(mig核给ddrt提供的时钟)为1066M数据速率为2132M用这个的好处是可以降频使用只要不超上限即可。核时钟根据速度等级计算用户时钟为核时钟的1/4由于训练链路用了Idelay故有个参考时钟。总结根据SDR了解DDR的mig核控制