【信息科学与工程学】计算机科学与自动化——第十篇 芯片设计21 芯片中的电学01 编号领域名称核心问题详细数学模型与方程式典型数值/数值范围1​硅中介层全局互连信号完整性​硅中介层上毫米级高速互连的传输线效应、频变损耗、串扰建模。1.电报方程:∂V/∂z = -RI - L∂I/∂t,∂I/∂z = -GV - C∂V/∂t。2.传播常数:γ = α + jβ = √((R+jωL)(G+jωC))。3.特性阻抗:Z0 = √((R+jωL)/(G+jωC))。4.频变电阻:R(f) ≈ R_dc + (1+j)/δ * μ/(2πσ),趋肤深度δ = 1/√(πfμσ)。5.介质损耗:G(f) = 2πfC tanδ(f)。6.近端/远端串扰:

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